学術・技術的な意義 作成プロセスの工夫で高密度の拡張転位を導入でき、高磁界中の臨界電流密度の 減少率が、通常の焼結試科に比べ著しく改善された。
装置、撮影条件等: 加速電圧:200kV、4−40反射による暗視野像
出品者所属・氏名: 九州大 超高圧電顕室、友清芳二、工学部 平川一美
撮影者所属・氏名: 九州大 超高圧電顕室、田中金栄士
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