学術的な意義:
上記照射条件においてつくられる欠陥が、楕円球状のカスケード欠陥であり、
その分布が図に示すように試料に均一に導入されず、深さ方向に限られた
範囲にのみ分布していることを直接確認したはじめての観察結果である。
また、これら欠陥が互いに独立に分布する場合、超伝導体の有効な磁束ピン止め点
として機能することを確認している。
装置、撮影条件等:
トプコン社製透過電子顕微鏡 EM−002B、加速電圧 200kV
撮影倍率(a)12万倍、(b)59万倍
出品者所属・氏名:
財団法人ファインセラミックスセンター 佐々木優吉、周維列、幾原雄一
撮影者所属・氏名:
財団法人ファインセラミックスセンター 佐々木優吉、周維列、幾原雄一