1983年 入賞

TiB単結晶

写真の説明:
アルミニウム融剤法で得られたTiB単結晶 を示す。(合成温度:1500℃、合成温度:10時間) 得られた単結晶は(0001)面にstep成長が観察された。

装置、撮影条件等:
JSM−35C、25kV

出品者所属・氏名:
神奈川大工学部 岡田繁、阿刀田徹三

撮影者所属・氏名:
神奈川大工学部 岡田繁、阿部勇輝

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