遊離Ｓｉを多く含むＳｉＣ超微粉の焼結

写真の説明：
ガス蒸発法で作成した遊離Ｓｉを多く含むＳｉＣ超微粉に、Ｂを５％添加して ２０００℃以上で焼結すると、粒状および薄板状の結晶が成長する。薄板結晶の 表面には多数の同心円状の成長ステップが見られる。

装置、撮影条件等：
明石ＭＩＮＩ−ＳＥＭ（ＭＳＭ−２０２）、撮影５００倍、引伸２．３倍

出品者所属・氏名：
名城大理工　安藤義則、大河内正人

撮影者所属・氏名：
名城大理工　安藤義則

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