ＳｉＣの亀裂

写真の説明：
ＳｉＣ単結晶に（６Ｈ）にビッカース法により、亀裂（クラック）を発生させた時の ＴＥＭ写真。亀裂は左上から右下方向にジグザグ状に伝搬する。亀裂は＜１００＞、 ＜００１＞方向に成長する。

装置、撮影条件等：
４０００ｋＶ分析電顕（ＪＥＭ−４０００ＦＸ）、４００ｋＶ

出品者所属・氏名：
無機材研　板東義雄、田中英彦、猪俣吉三

撮影者所属・氏名：
無機材研　板東義雄

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