GaAS(-1-1-1)_B面上のZnSe成長丘

写真の説明：
GaAS基板結晶(-1-1-1)_B面上にエピタキシャル成長した ZnSe成長丘。基板の法線方向から見ると星型の成長丘で転位双晶によるものである。 これは基板を法線方向から７０゜傾斜させて撮ったＳＥＭ写真である。

装置、撮影条件等：
走査型電子顕微鏡ＪＥＭ−Ｔ２００、加速電圧２５ｋＶ

出品者所属・氏名：
長崎大学教養部　岩永浩、勝木宏昭・工学部　江頭誠

撮影者所属・氏名：
長崎大学教養部　岩永浩

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