1988年 入賞

CVD法により得られたSiウィスカー

写真の説明:
SiCl +NH++H 系から1200℃で鉄不純物を塗布したグラファイト基板上に成長した Si ウィスカーである。すべてのウィスカーが規則正しくスパイラル状に成長している。

装置、撮影条件等:
EMAX−8000S、25kV

出品者所属・氏名:
岐阜大学工学部応用化学科 元島栖二、上野秀司

撮影者所属・氏名:
岐阜大学工学部応用化学科 元島栖二

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