1988年 入賞
CVD法により得られたSi
3
N
4
ウィスカー
写真の説明:
Si
2
Cl
6
+NH
3
++H
2
系から1200℃で鉄不純物を塗布したグラファイト基板上に成長した Si
3
N
4
ウィスカーである。すべてのウィスカーが規則正しくスパイラル状に成長している。
装置、撮影条件等:
EMAX−8000S、25kV
出品者所属・氏名:
岐阜大学工学部応用化学科 元島栖二、上野秀司
撮影者所属・氏名:
岐阜大学工学部応用化学科 元島栖二
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