積層欠陥を含んだβ−ＳｉＣウィスカー

写真の説明：
三フッ化ホウ素時エチルエーテルを添加したイオウ含有シリコーンオイルの １３００℃における気化熱分解により成長したβ−ＳｉＣウィスカー。

装置、撮影条件等：
透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−１０００）、暗視野、７５０ｋＶ

出品者所属・氏名：
長崎大学工学部　金原登、江頭誠・長崎大学教養部　岩永浩

撮影者所属・氏名：
長崎大学教養部　岩永浩

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