アモルファス炭化ケイ素中に核形成したβ-SiC微結晶の高分解能電顕像

写真の説明：
電子照射により作成したアモルファス炭化ケイ素を１０００℃まで急速加熱すると アモルファスのマトリックス中にβ-SiCの微結晶が核形成・成長する。写真は これらのβ-SiC微結晶の高分解能像を示すもので、微結晶中には積層欠陥を主体 とする格子欠陥が高密度に導入されていることがわかる。左下の光回折図形は 微結晶内部から得られたものであり、積層欠陥の存在を示す[111]方向のストリークが 顕著である。写真左上には核生成直後の段階にあると考えられる直径約5nmの 微再結晶（○印）が認められる。

装置、撮影条件等：
H-9000型高分解能電子顕微鏡（日立）

出品者所属・氏名：
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター　坂田孝夫・森博太郎・藤田広志

撮影者所属・氏名：
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター　坂田孝夫・森博太郎・藤田広志

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