集束イオンビーム描画による帯電像の形成とその観察

写真の説明：
チタン酸カルシウム基板上に集束イオンビームを走査し、正極性の帯電像を形成した。 形成した帯電像はｉｎ‐ｓｉｔｕで低加速電圧の電子ビーム走査により観察した。

技術的な意義：
セラミックス基板上に集束イオンビームを用いて描画し、帯電像を形成した研究は 見られない。帯電像を低加速のＳＥＭ観察を行うと帯電の電位に応じたコントラスト が生じる。電子ビームにより帯電した負極性の帯電像では明るいコントラストを 生じるが、正極性のこの帯電像では暗いコントラストを生じた。この 電位コントラスト法によって正極性に帯電した像を観察した例は初めてであろう。

装置、撮影条件等：
複合ビーム描画装置　ＳＭＩ８０００Ｄ，セイコー電子工業製）
集束イオンビーム描画　ＦｌＢ（Ｇａ^＋、３０ｋｅＶ、 ５×１０^１３／ｃｍ^２ （０．３ｐＣ/μｍ^２）
電位コントラスト観察　ＴＦＥ‐ＳＥＭ、２．５ｋｅＶ、ｉ＜１０ｐＡ

出品者所属・氏名：
金属材料技術研究所第５研究グループ　不動寺浩

撮影者氏名：
金属材料技術研究所第５研究グループ　不動寺浩

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