公益社団法人 日本セラミックス協会 電子材料部会

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第24回エレクトロセラミックスセミナー(旧電子材料部会セミナー)

第24回エレクトロセラミックスセミナー(旧電子材料部会セミナー)

鉛フリー圧電材料のブレイクスルー/鉛からの脱却を目指して

 WEEE指令、RoHS指令にPZTの代替材料の開発を急かされても、なかなか実用レベルで無鉛化できない圧電材料ですが、より複雑な製造プロセス、より精密な分析技術などの力を借りて、少しずつではありますが、実用化レベルのものができる可能性が示されつつあるように思われます。今回は鉛からの脱却を目指して、鉛フリー圧電材料のブレイクスルー技術を考えてみたいと思います。
 また材料研究者だけでなく、企業における企画部門、環境安全部門方々にも、鉛フリー化への最新技術をご理解いただける良い機会と思います。多くの皆様のご参加を募ります。

主催 日本セラミックス協会電子材料部会
協賛 日本化学会、応用物理学会、電気化学会、日本材料科学会、粉体粉末冶金協会、電子情報通信学会、電気学会
日時 2005年12月9日(金)13:00~17:00
会場 東京大学駒場リサーチキャンパス内 先端科学技術研究センター 4号館2階 講堂(200号室)

プログラム

13:00~13:55
「強誘電性ペロブスカイト型酸化物の第一原理計算:Pbの役割」小口多美夫氏(広島大学)
強誘電性ペロフスカイト型酸化物や関連する酸化物の電子状態の解析を通じて、強誘電体におけるPbの役割について。
13:55~14:50
「ニオブ酸アルカリ系セラミックスの圧電特性」木村雅彦氏(村田製作所)
鉛フリー圧電材料の有力候補のひとつとして注目されているニオブ酸アルカリ系セラミックスについて、KNbO3-NaNbO3-LiNbO33元系やその周辺組成の圧電諸特性を概説。
休憩
15:10~16:05
「NKN系材料の構造とMPB組成探索」柿本健一氏(名古屋工業大学)
(Na,K)NbO3-LiNbO3系で実施したMPB組成の探索研究例を中心に、固溶体結晶構造とその温度依存性について。
16:05~17:00
「エンジニアード・ドメイン制御による非鉛系圧電材料の革新」和田智志氏(東京工業大学)強誘電体のドメイン壁を積極的に利用するドメイン壁エンジニアリングという手法を用い、この技術によりどこまで非鉛系圧電材料の圧電特性を向上できるのかを明らかにする。
定員 100名
参加費 会員:10,000円(協賛団体会員を含む)、非会員:15,000円。学生会員:2,000円、非学生会員:3,000円。
申し込み・送金方法 氏名、勤務先(大学)、同住所、電話番号、Eメールアドレス、会員種別を明記の上、銀行振込(申込書はEメール、FAXまたは郵送)または現金書留(申込書同封)にてお申し込みください。参加費はセミナー前日までにご送金ください。なおお申し込み後の取り消しによる返金はいたしません。
申し込み・問合せ先 〒169‐0073
東京都新宿区百人町2-22-17
日本セラミックス協会電子材料部会
振込先 みずほ銀行新宿西口支店(普)1807895(社)日本セラミックス協会電子材料部会。
銀行振込の場合、請求書・領収書は発行いたしません。
会場のご案内 東京大学駒場リサーチキャンパス内 先端科学技術研究センター4号館2階講堂(200号室)東京都目黒区駒場 4-6-1
交通 京王井の頭線・駒場東大前駅から徒歩10分、小田急線・東北沢駅から徒歩7分、
小田急/東京メトロ千代田線・代々木上原駅から徒歩12分