公益社団法人 日本セラミックス協会 電子材料部会

第36回エレクトロセラミックス研究討論会

主催	日本セラミックス協会電子材料部会
開催日	2016年10月13日(木)9:20～17:30、14日(金)9:30～17:30
場所	ユニオンビル（富士通労働会館）神奈川県川崎市中原区小杉町3-264-3
懇親会・奨励賞表彰式	10 月 14 日（金）17：45～19：45（セミナールームBC）
参加費	3,000 円（学生は無料）

第36回エレクトロセラミックス研究討論会講演日程表

2016/10/13 （木） セミナールームＡ		2016/10/14 （金） セミナールームＡ
9:20 ‐ 9:30	開催挨拶
9:20 ‐ 9:30	開催挨拶
9:30 ‐ 10:00	1A01	9:30 ‐ 10:00	2A01
10:00 ‐ 10:30	1A02	10:00 ‐ 10:30	2A02
10:30 ‐ 11:00	1A03	10:30 ‐ 11:00	2A03
11:00 ‐ 11:30	1A04	11:00 ‐ 11:30	2A04
11:30 ‐ 12:00	1A05	11:30 ‐ 12:30	昼食
12:00 ‐ 13:30	昼食 （役員会）
		12:30 ‐ 14:30	ポスターセッション (ポスター会場) 2P01 ～ 2P38
13:30 ‐ 14:00	1A06
14:00 ‐ 14:30	1A07
14:30 ‐ 15:00	1A08	14:30 ‐ 15:00	休憩
15:00 ‐ 15:30	休憩	15:00 ‐ 15:30	2A05
15:30 ‐ 16:00	1A09	15:30 ‐ 16:00	2A06
16:00 ‐ 16:30	1A10	16:00 ‐ 16:30	2A07
16:30 ‐ 17:00	1A11	16:30 ‐ 17:00	2A08
17:00 ‐ 17:30	1A12	17:00 ‐ 17:30	2A09

討論実行委員長：今中佳彦（富士通）
討論会主査：徐超男（産総研）
討論会副査：天田英之（富士通）、原田耕一（東芝）、張替貴聖（パナソニック）、増本博（東北大）
委 員：秋本順二（産総研）、 明渡純（産総研）、長田実（物材機構）、加藤一実（産総研）、木口賢紀（東北大）、曽山信幸（三菱マテリアル）、武田博明（東工大）、戸田健司（新潟大）、永田肇（東理大）、野口祐二（東大）、濱本孝一（産総研）、藤原忍（慶大）、舟窪浩（東工大）、溝口照康（東大）、森分博紀（ＪＦＣＣ）、山田智明（名古屋大）、脇谷尚樹（静大）、和田智志（山梨大）、鶴見敬章（東工大）

講演プログラム

講演：30分（発表18分、討論11分、交代１分）、○：講演者

10月13日（木）

9:20～9:30
開会挨拶（部会長）
誘電体セラミックス 9:30～10:30
座長：武田博明（東工大）
1A01 SrAl2O4 の強誘電相での特異なドメイン構造のTEM観察 〇森茂生1、塚崎裕文1、石井悠衣1、久留島康輔2、河口彰吾3、武田博明4、鶴見敬章4 (1 阪府大、2 東レ、3JASRI/SPring8、4 東工大) 1A02 Resistivity and piezoelectric properties of Ca3TaGa3-xAlxSi2O14 single crystals as a function of oxygen partialpressure and Al content 〇Xiuwei Fu1, Encarnacion G. Villora1, Yuuki Kitanaka2, Yuji Noguchi2, Masaru Miyayama2, Kiyoshi Shimamura1,3,Naoki Ohashi1,4 (1NIMS, 2Univ. Tokyo, 3Waseda Univ., 4Tokyo Inst. Tech.)
10:30～12:00
座長：森分博紀（ＪＦＣＣ）
1A03 還元焼成ZnOバリスタにおけるSrCoO3添加物の伝導性と非線形特性の関係 〇東佳子、古賀英一 (パナソニック) 1A04 LTCC多層基板材料の強度特性 〇坂本禎章、藤田誠司、杉本安隆、田中伸彦 (村田製作所) 1A05 ナノパーティクルデポジション膜の結晶構造と界面現象 〇今中佳彦、天田英之、熊坂文明、淡路直樹(富士通)
薄膜の物性・プロセス 13:30～15:00
座長：山田智明（名古屋大）
1A06 PLD法によりSi基板上に製膜したY2O3安定化ZrO2薄膜の抵抗スイッチング 〇塩田忠、白田稜、二ツ森皓史、西山昭雄、櫻井修、篠崎和夫 (東工大) 1A07 正方晶PZT薄膜のドメイン構造の配向及び歪制御 〇一ノ瀬大地1、中島祟明1、江原祥隆1, 2、及川貴弘1、清水荘雄1、坂田修身1, 3、山田智明4, 5、舟窪浩1(1 東工大、2ダルムシュタット工科大、3NIMS/SPring-8、4 名古屋大、5PRESTO) 1A08 ナノシート界面層上におけるPZT膜の一軸配向成長 〇内田寛1、宮崎竜斗1、一ノ瀬大地2、金鎭雄3、島宏美3、木口賢紀4、赤間章裕4、西田謙3、今野豊彦4、舟窪浩2 (1 上智大、2東工大、3 防衛大、4東北大)
ナノクリスタルの物性・プロセス 15:30～16:30
座長：藤原忍（慶應大）
1A09 チタン酸バリウム系ナノキューブ配列構造体の誘電特性 〇三村憲一、加藤一実 (産総研) 1A10 水熱合成法によるニオブ系酸化物ナノ粒子の微細構造制御 〇渕上輝顕、柿本健一 (名工大)
16:30～17:30
座長：脇谷尚樹（静岡大）
1A11 BaTiO3ナノクリスタル集積体における歪み誘起相転移と高誘電率〇安井久一、三村憲一、加藤一実 (産総研) 1A12 酸化物ナノシートが拓く原子膜技術〇長田実、佐々木高義 (物材機構MANA)

10月14日（金）

環境・エネルギーセラミックス 9:30～10:30
座長：野口祐二（東大）
2A01 ガーネット系酸化物固体電解質材料の結晶構造と導電率の関係〇秋本順二、浜尾尚樹、片岡邦光、木嶋倫人(産総研) 2A02 高速充放電Liイオン電池に向けたBaTiO3系誘電体SEIの開発〇寺西貴志、勝治直人、吉川祐未、林秀考、岸本昭 (岡山大)
10:30～11:30
座長：舟窪浩（東工大）
2A03 含浸法による多孔質チタニア水和物からのチタン酸ナトリウムの合成に及ぼすNa塩の効果〇永井秀明1、片岡邦光1、秋本順二1、外川公志2、石灰洋一2 (1産総研、2石原産業) 2A04 情報科学手法を用いた界面構造決定の高速化〇溝口照康、菊地駿、小田尋美、清原慎(東大)
12:30～14:30
ポスターセッション
一般・高温電子セラミックス 15:00～16:00
座長：永田肇（東理大）
2A05 光学的手法によるパワーモジュール用RuO2抵抗体の劣化機構解明〇中村吉伸1、北中佑樹1、宮山勝1、伊藤武2、浦野幸一2、田中清志2、中島智彦3、土屋哲男3(1東大、2KOA、産総研) 2A06 温度サイクル時に銅/窒化ケイ素メタライズ基板上のニッケルメッキ層に発生する欠陥〇福田真治、島田和彦、伊豆典哉、宮崎広行、平尾喜代司 (産総研)
16:00～17:30
座長：徐超男（産総研）
2A07 ミリ波焼結した高非線形性ZnO積層バリスタの課電耐性〇古賀英一、東佳子 (パナソニック) 2A08 異常拡散によるセラミックスの形態制御〇戸田健司、金善旭、上松和義、佐藤峰夫 (新潟大) 2A09 熱処理によるチタン酸塩の微粉化〇大橋直樹、ノビヤント・アルフィアン、西村聡之 (物材機構)

ポスターセッション（12:30～14:30）
コアタイム（奇数：12:30～13:30、偶数：13:30～14:30）
推奨サイズ：A0（横841mm×縦1189mm）、テープで固定のこと（画鋲は不可）

13：00～15：00

2P01 Tunable mechano-optical conversion in phosphorescent CaZnOS:Cu〇塗東、藤尾侑輝、吉田晃人、徐超男 (産総研) 2P02 急速焼成によるLi7La3Zr2O12系セラミックスの作製と充放電特性の評価〇佐瀬瑠一、保科拓也、武田博明、鶴見敬章 (東工大) 2P03 ビスマス系酸化亜鉛バリスタの電気特性へのシリコン酸化物添加効果に関する研究〇片岡庸介、濱口富平、佐藤祐喜、吉門進三 (同志社大) 2P04 水熱法を利用した(Bi1/2K1/2)(ZrxTi1-x)O3非鉛圧電セラミックスの作製〇伊藤洵、萩原学、藤原忍 (慶應大) 2P05 エアロゾルデポジッション法によるスズドープ酸化インジウム薄膜の基板依存性〇長谷川悠、佐藤祐喜、吉門進三 (同志社大) 2P06 化学溶液堆積法によるZnO-La2CoMnO6ナノコンポジット薄膜の作製〇齋藤瑞樹、萩原学、藤原忍(慶應大) 2P07 Si基板上チタン酸バリウム薄膜のケミカルプロセッシング〇新林宗孝、新井貴司、大野智也、松田剛、川口昂彦、坂元尚紀、脇谷尚樹、鈴木久男(静岡大) 2P08 新規応力発光体LiNbO3:Pr3+の赤色発光機能発見〇廣津丈1,2、塗東1、吉田晃人1、藤原理賀1、徐超男1,2(1産総研、2九大) 2P09 ホウ酸添加量変化によるSrAl2O4:Eu2+の応力発光性能評価〇斉藤亮二1,2、塗東1、吉田晃人1、川崎悦子1、徐超男1,2(1産総研、2九大) 2P10 化学浴析出法により作製したZnO系色素増感太陽電池における開放電圧の向上〇田中英里、萩原学、藤原忍(慶應大) 2P11 マイクロラマン分光法を用いたZnO単結晶及び粉末の酸素欠陥評価〇福島浩晃1、内田寛2、舟窪浩3、河東田隆4、西田謙1(1防衛大、2上智大、3東工大、4高知工科大) 2P12 層状ペロブスカイトSr3Sn2O7:Sm3+の欠陥制御による応力発光特性向上効果〇浜辺竜太1,2、塗東1、吉田晃人1、徐超男1,2(1産総研、2九大) 2P13 液相合成法を用いたZnOナノ粒子の合成と光学特性〇伴地孝啓、原田義之、藤元章、前元利彦(大阪工大) 2P14 フレキシブルPVDF/NKN振動発電素子の高温特性〇松原功尚、渕上輝顕、柿本健一(名工大) 2P15 磁場印加PLD法による(LaSr)CoO3自発的超格子薄膜の作製と熱電特性〇甲田翔太1、川口昂彦1、坂元尚紀1、篠崎和夫2、鈴木久男1、脇谷尚樹1(1静岡大、2東工大) 2P16 (Bi0.5Na0.5)TiO3系固溶体セラミックスの電気的諸特性に及ぼすクエンチ効果〇村松啓貴、永田肇、竹中正(東理大) 2P17 PMN-PT人工超格子薄膜における共存相の安定性に及ぼす局所弾性場の影響〇範滄宇、木口賢紀、白石貴久、赤間章裕、今野豊彦(東北大) 2P18 エピタキシャル(Ba,Sr)TiO3薄膜の残留歪み及び印加電界が電気熱量効果に与える影響〇松尾翔吾1、山田智明1、加茂崇史2、舟窪浩2、吉野正人1、長埼正雅1(1名古屋大、2東工大) 2P19 スクライブ+ブレイク技術によるセラミックス基板の切断加工〇留井直子、村上健二、橋本多市、北市充、平野茂和、福西利夫(三星ダイヤモンド工業) 2P20 Sb-doped Tin oxide for Transparent Conducting Oxide Applications 〇A. Roy1, R. Hinkoji2, K Kaneko1, Y. Sato1 (1 Kyushu Univ. , 2 Chikushigaoka High School) 2P21 ビスマス系酸化亜鉛バリスタの電気特性へのイットリウム,シリコン,ホウ素酸化物添加の効果に関する研究〇坪田望、佐藤祐喜、吉門進三(同志社大) 2P22 Sr、Co酸化物を同時添加した酸化亜鉛バリスタの電気特性に関する研究〇門田恵輔、黒川和希、佐藤祐喜、吉門進三(同志社大) 2P23 ＡＤ法を活用したチタン酸ビスマスカリウムのリーク電流特性の改善〇鈴木宗泰、土屋哲男、明渡純(産総研) 2P24 BiFeO3強誘電体薄膜における光起電力効果の定量解析〇松尾拓紀、北中佑樹、野口祐二、宮山勝(東大) 2P25 欠陥準位導入によるニオブ酸リチウム強誘電体薄膜の光起電力効果の増大〇吉田光汰、野口祐二、北中佑樹、宮山勝(東大) 2P26 格子不整合制御によるBaTiO3エピタキシャル薄膜の作製と構造物性評価〇槇恒、朽名和俊、松尾拓紀、北中佑樹、野口祐二、宮山勝(東大) 2P27 (Bi1/2Na1/2)TiO3系強誘電体単結晶の電場応答と結晶構造解析〇牧角康平、北中佑樹、野口祐二、宮山勝(東大) 2P28 タングステン添加酸化亜鉛薄膜の水素とエタノールガスのセンサ特性〇坂口勲、齋藤紀子、安達裕、渡邉賢、鈴木拓(物材機構) 2P29 マイクロ波加熱を用いたNi/YSZ複合体の合成〇須長大貴、黒江大樹、吉永昌史(東海大) 2P30 ナノパーティクルデポジションを用いた薄膜の誘電特性とその応用〇天田英之、熊坂文明、今中佳彦(富士通) 2P31 化学浴析出法による光機能性キサンテン系色素－ZnOハイブリッド膜の合成および成長機構の解明〇百武大希、萩原学、藤原忍(慶應大) 2P32 インフォマティクス手法を用いた酸化物粒界構造の高速決定および構造機能相関〇菊地駿、小田尋美、清原慎、松永克志、溝口照康(東大) 2P33 マイクロ波誘電体セラミックスBa(Mg1/3Ta2/3)O3の作製と評価に関する研究〇野村拓史、佐藤祐喜、吉門進三(同志社大) 2P34 電気泳動法を用いた酸化物ナノシートの集積化と評価〇中川剛斗1、Thi Kim Ngan NGUYEN2、濱上寿一1、長田実3、打越哲郎2,3(1関学院大、2北大、3物材機構) 2P35 Bi2O3添加WO3焼結体の熱電特性〇池田裕也、田村怜唯、安川雅啓(高知高専) 2P36 水酸アパタイトのプロトン伝導を利用したエレクトレットの作製〇堀内尚紘、野崎浩佑、中村美穂、永井亜希子、山下仁大 (東京医歯大) 2P37 Sr2MgMoO3-δの導電特性〇新村潔人1、本多駿資1、高野峻吾1、藏本浩大1、成瀬公平1、徳嵩勇貴1、佐々木一哉2(1東海大、2弘前大) 2P38 液相法を用いた全固体Li電池用単粒子厚みLiNi1/3Co1/3Mn1/3O2-LiVO3電極とバインダフリー板状LiVO3電極の作製とそれらの電気化学特性〇小野寺大剛、川治純、佐藤明、奥村壮文(日立製作所)